氧化銦納米纖維

來源：電（diàn）紡（fǎng）期刊

In₂O₃ 作為一種典型的N 型（xíng）半導體材（cái）料，具有一個較寬的直（zhí）接帶（dài）隙（xì）（3.75eV）和一個間接帶隙（2.62eV）。由於（yú）In₂O₃ 具（jù）有較高的（de）電導（dǎo）率、化學穩定性（xìng）和（hé）較低的電子親（qīn）和力，使In₂O₃ 在半導體傳（chuán）感器（qì）、平板顯示器、太陽能轉化等微電子領域表現出極大的應用前景。

據相關文獻（xiàn）報道，In₂O₃ 的微觀尺寸、形貌和結構特點（diǎn）對In₂O₃ 半導體器件（jiàn）的性能有著重要影響。特別是對於氣體（tǐ）傳感器，其性能與氧化銦的有效表麵區域和孔隙率（lǜ）有著極大的（de）關係。對於檢測低濃度狀態下的汽油、酒精、氨氣、丁烷等有害氣體方麵（miàn），基於氧化銦材料的氣體傳感器有著*的靈敏度。

例如，直徑為60nm 的In₂O₃ 纖維對乙醇具有快速響應/恢複能力，可用來製作高性（xìng）能氣敏傳感器；摻雜Pd 的In₂O₃ 納米纖維對（duì）於乙（yǐ）醇的響（xiǎng）應（yīng）信號明顯（xiǎn）特高（gāo），檢（jiǎn）測下限低（dī）至1ppm；通過Ag 和Pt 的摻雜，In₂O₃ 電紡纖維可對甲醛和H₂S顯示（shì）出良好的響應和選擇性，在有（yǒu）毒氣體的（de）檢測方（fāng）麵有潛在的應用。

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